Конкурс на получение грантов Российского научного фонда по мероприятию: «Проведение ориентированных и/или прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно-технологической сфере по приоритетным направлениям научно-технологического развития Российской Федерации» по направлению «Микроэлектроника»
06 Июнь / 2025Цель проведения конкурса - оказание организационной и финансовой поддержки проектам по проведению прикладных научных исследований в рамках технологических предложений, отобранных в результате конкурсного отбора по определению тематик ориентированных и/или прикладных научных исследований, опытно-конструкторских и технологических работ, опытно-конструкторских разработок, представляемых на конкурсы, проводимые Российским научным фондом
Реализация мероприятий направлена на практическое применение новых знаний, формирование научных, технологических, конструкторских заделов, обеспечивающих освоение производств перспективных изделий в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно-технологической сфере. В ходе реализации Проекта должно быть достигнуто решение конкретной технической или технологической задачи в рамках технологического предложения и (или) получены новые знания в целях их последующего практического применения, формирования научно-практического задела в разработке перспективных технологий в критически значимых направлениях стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно-технологической сфере.
Конкурс проводится по 7 лотам:
Лот № 1, тема: «Разработка технологи изготовления полированных пластин фосфида галлия».
Размер гранта по лоту № 1 составляет до 75 000,0 тыс. руб., в том числе:
Лот № 2, тема: «Разработка технологии изготовления отечественных светодиодных гетероструктур УФ-диапазона с длиной волны 360-380 нм».
Размер гранта по лоту № 2 составляет до 90 000,0 тыс. руб., в том числе:
Лот № 3, тема: «Разработка технологии и синтез высокочистого поликристаллического антимонида индия».
Размер гранта по лоту № 3 составляет до 90 000,0 тыс. руб., в том числе:
Лот № 4, тема: «Разработка промышленной рецептуры готовой керамической композиции группы МПО для изготовления тонких диэлектрических пленок, предназначенных для производства высокочастотных многослойных керамических конденсаторов поверхностного монтажа».
Размер гранта по лоту № 4 составляет до 60 000,0 тыс. руб., в том числе:
Лот № 5, тема: «Разработка технологии создания полупроводниковых гетероструктур оптоэлектронной компонентной базы для волоконно-оптической системы постоянного мониторинга месторождений».
Размер гранта по лоту № 5 составляет до 60 000,0 тыс. руб., в том числе:
Лот № 6, тема: «Разработка технологических процессов изготовления чипов и оптоволоконных модулей на основе полупроводниковых гетероструктур для волоконнооптической системы постоянного мониторинга месторождений».
Размер гранта по лоту № 6 составляет до 60 000,0 тыс. руб., в том числе:
Лот № 7, тема: «Исследование возможности применения и развитие технологии с проектными нормами 250 нм для серийного производства аналогов импортных микросхем с использование базовых матричных кристаллов».
Размер гранта по лоту № 7 составляет до 90 000,0 тыс. руб., в том числе:
Для реализации проектов, конкурсной документацией предусмотрено обязательное софинансирование, которое предоставляется организацией заказчиком технологического предложения, в объеме не менее – 5% от общего размера гранта.
Результатом предоставления гранта является разработанная в рамках реализации проекта технология, подтвержденная изготовленным по ней прототипом изделия.
Прием заявок до 02 июля 2025 г. 17 часов 00 мин. по московскому времени
Результаты конкурса будут подведены до 1 сентября 2025 года.
Объявление о конкурсе – Скачать
Конкурсная документация – Скачать
Контактная информация:
Вагина Ольга Николаевна, отдел грантов и программ УНИД,
тел. (499) 976-07-48 доб.4